Viestissä selitetään pienen signaalin, pienitehoisen N-kanavan mosfetin 2N7000G pääominaisuudet ja pinouts.
Mosfets vs. BJT
Kun puhumme mosfeteistä, yhdistämme sen yleensä suureen virtaan, suurjännitteeseen ja suuritehoisiin sovelluksiin.
Kuitenkin, kuten tavalliset BJT: t, myös pieniä signaalimodeetteja on saatavana, joita voidaan käyttää yhtä tehokkaasti kuin niiden BJT-vastineita.
Mosfetit ovat suosittuja erittäin korkean virransyöttöominaisuuksiensa vuoksi, mutta ovat kuitenkin pienempiä kokonaismitoillaan.
Toisin kuin BJT: t, mosfetit käsittelivät suuria virtoja ja jännitteitä suurentamatta itseään ja ilman välipuskurivaiheita tai suurivirtaisia kuljettajan vaiheita.
Kuinka Mosfet laukaistaan
Mosfetin käytön suurin etu on, että se voidaan laukaista halutulla tavalla tietyn kuorman käyttämiseksi portin käyttövirrasta riippumatta.
Yllä olevan ominaisuuden avulla mosfets voidaan laukaista suoraan matalavirtaisista lähteistä, kuten CMOS- tai TTL-lähdöistä, ilman puskurivaiheita, mikä on suuri ero verrattuna BJT: iin.
Yllä oleva ominaisuus koskee myös pieniä signaalimodeetteja, jotka voidaan korvata suoraan pienille BJT-signaaleille, kuten BC547, tehokkaiden tulosten saamiseksi. Yksi tällainen pieni signaalin mosfet-tietolomake, määrittely on käsitelty tässä.
Se on N-kanavainen 2N7000G mosfet, joka soveltuu tyypillisesti pienille signaalisovelluksille, jotka ovat enintään 200 mA ja 60 V.
Päällekytketty vastus tyhjennys- ja lähdeliittimissä on tyypillisesti noin 5 ohmia. Tämän pienen, pienitehoisen mosfetin signaalin pääominaisuudet on lueteltu alla:
Tärkeimmät sähköiset ominaisuudet:
Tyhjennys lähdejännitteeseen Vdss = 60 V DC Gate to source jännite Vgs = +/- 20V DC, +/- 40V DC huippu ei toistuva, enintään 50 mikrosekuntia Tyhjennysvirta Id = 200mA DC jatkuva, 500mA pulssi
Tehon kokonaishäviö Pd, kun Tc = 250 C (liitoslämpötila) = 350 mW Liitännät ja paketin yksityiskohdat näkyvät täällä:
Pari: Alipäästösuodatinpiiri subwooferille Seuraava: 10-kaistainen graafinen taajuuskorjainpiiri
