Tiedämme sen transistori koostuu kolmesta liittimestä nimittäin emitteri, kerääjä ja kanta, ja ne on merkitty E: llä, C: llä ja B. Mutta transistoreiden sovelluksissa vaaditaan neljä päätettä, kaksi liitintä sisääntuloa varten ja loput kaksi päätettä lähtöä varten. Tämän ongelman korjaamiseksi käytämme yhtä päätelaitetta sekä i / p- että o / p-toiminnoissa. Suunnittelemalla tätä konseptia piirejä, jotka tarjoavat vaaditut ominaisuudet, ja näitä kokoonpanoja kutsutaan transistorikokoonpanoiksi.
Transistorin kokoonpanot
Transistorikokoonpanojen tyypit
Kolme erilaista transistorikokoonpanoa ovat
- Yhteinen kantatransistorin kokoonpano
- Yleinen emitteritransistorin kokoonpano
- Yhteinen kollektoritransistorin kokoonpano
Nyt keskustelemme kolmesta edellä mainitusta transistorin kokoonpano s kaavioilla.
Transistorikokoonpanojen tyypit
Yhteisen kantatransistorin kokoonpano (CB)
Yhteinen kantatransistorin konfiguraatio antaa matalan i / p: n ja antaa samalla korkean o / p-impedanssin. Kun CB-transistorin jännite on korkea, virran vahvistus ja tehon kokonaisvahvistus ovat myös pieniä verrattuna muihin transistorikokoonpanoihin. B-transistorin pääpiirre on, että transistorin i / p ja o / p ovat vaiheissa. Seuraava kaavio näyttää CB-transistorin kokoonpanon. Tässä piirissä tukiliitin on molempien i / p & o / p-piirien keskinäinen.
Yhteinen tukitransistorin kokoonpano
CB-piirin nykyinen vahvistus lasketaan CE-käsitteeseen liittyvässä menetelmässä ja sitä merkitään alfalla (α). Se on kollektorivirran ja emitterivirran suhde. Nykyinen voitto lasketaan seuraavaa kaavaa käyttämällä.
Alpha on keräilijän virran (lähtövirta) suhde emitterivirtaan (tulovirta). Alfa lasketaan kaavalla:
α = (∆Ic) / ∆IE
Esimerkiksi, jos i / p-virta (IE) yhteisessä perusvirrassa muuttuu arvosta 2mA arvoon 4mA ja o / p virta (IC) muuttuu arvosta 2mA arvoon 3,8 mA, virran vahvistus on 0,90
CB-virran nykyinen vahvistus on alle 1. Kun emitterivirta virtaa tukiasemaan eikä toimi kollektorivirrana. Tämä virta on aina pienempi kuin sen aiheuttava emitterivirta. Yhteisen peruskokoonpanon vahvistus on aina pienempi kuin 1. Seuraavaa kaavaa käytetään laskemaan CE: n (a) nykyinen vahvistus, kun CB-arvo annetaan eli (β).
Yhteinen keräilytransistorin kokoonpano (CC)
Yhteinen kollektoritransistorikokoonpano tunnetaan myös emitterin seuraajana, koska tämän transistorin emitterijännite seuraa transistorin tukiasemaa. Korkean i / p-impedanssin ja matalan o / p-impedanssin tarjoamista käytetään yleisesti puskurina. Tämän transistorin jännitevahvistus on yhtenäisyyttä, virran vahvistus on suuri ja o / p-signaalit ovat vaiheessa. Seuraava kaavio näyttää CC-transistorin kokoonpanon. Keräinliitin on molemminpuolinen sekä i / p- että o / p-piirille.
Yhteinen keräilytransistorin kokoonpano
CC-piirin nykyinen vahvistus on merkitty (y) ja se lasketaan käyttämällä seuraavaa kaavaa.
Tämä vahvistus liittyy CB-virran vahvistukseen, joka on beeta (β), ja CC-piirin vahvistus lasketaan, kun b-arvo annetaan seuraavalla kaavalla 
Kun transistori on kytketty missä tahansa kolmesta peruskokoonpanosta, kuten CE, CB ja CC, alfa-, beeta- ja gammasuhteiden välillä on suhde. Nämä suhteet on esitetty alla.
Esimerkiksi yhteisen perusarvon (a) nykyinen vahvistusarvo on 0,90, sitten beeta-arvo voidaan laskea
Siksi tämän transistorin perusvirran vaihtelu antaa kollektorivirralle muutoksen, joka on yhdeksän kertaa suurempi. Jos haluamme käyttää samaa transistoria CC: ssä, voimme laskea gamman seuraavalla yhtälöllä.
Yhteinen lähettimen transistorin kokoonpano (CE)
Yleisin emitteritransistorin kokoonpano on yleisimmin käytetty kokoonpano. CE-transistorin piiri antaa keskitason i / p- ja o / p-impedanssitasot. Sekä jännitteen että virran vahvistus voidaan määritellä väliaineeksi, mutta o / p on päinvastainen kuin i / p, joka on 1800 vaiheen muutos. Tämä antaa hyvän suorituskyvyn, ja sitä pidetään usein yleisimmin käytettyinä kokoonpanoina. Seuraava kaavio näyttää CE-transistorin kokoonpanon. Tällaisessa piirissä emitteriliitin on molempien i / p & o / p: n kanssa.
Yleinen lähettimen transistorin kokoonpano
Seuraava taulukko näyttää yhteisten emitterien, yhteisten kantojen ja yhteisten kollektoritransistoreiden kokoonpanot.
Yhteisen emitteripiirin (CE) nykyistä vahvistusta merkitään beetalla (β), joka on keräilijän virran ja perusvirran välinen suhde. Seuraavaa kaavaa käytetään beetan (β) laskemiseen. Deltaa käytetään määrittelemään pieni muutos
Esimerkiksi jos i / p-virta (IB) CE-tilassa muuttuu 50 mA: sta 75 mA: iin ja o / p-virta (IC) muuttuu 2,5 mA: sta 3,6 mA: iin, virran vahvistus (b) on 44.
Edellä olevasta nykyisestä vahvistuksesta voidaan päätellä, että muutos perusvirrassa aiheuttaa 44 kertaa suuremman muutoksen kollektorivirrassa.
Tässä on kyse erilaisesta transistorin tyypit kokoonpanot, jotka sisältävät yhteisen kannan, yhteisen kerääjän ja yhteisen emitterin. Uskomme, että olet saanut paremman käsityksen tästä käsitteestä. Lisäksi, jos sinulla on kysyttävää tästä konseptista tai elektroniikkaprojekteista, anna arvokkaat ehdotuksesi kommentoimalla alla olevassa kommenttiosassa. Sinulle on kysymys, mikä on transistorin tehtävä?
